描述：FDPF18N50
FDPF18N50：N內置UniFETTM MOSFET 500V，18A，265mΩ
該場效應管產品專用于降低通態電阻，并提供更好的開關性能和更高的雪崩能量強度。該器件系列適用 于開關電源轉換器應用，如功率因數校正（PFC），平板顯示器（FPD）電視電源，ATX及照明設備用鎮流器。

特性：FDPF18N50
RDS（on）=265mΩ（續）@ VGS = 10V，ID = 9A
低濃縮甲醛（典型值45nC）
低Crss（典型值25pF）
100％經過雪崩擊穿測試

應用：FDPF18N50
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
液晶/ LED / PDP電視
燈光
不間斷電源

制造商:FDPF18N50
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
500 V
Id-連續漏極電流:
18 A
Rds On-漏源導通電阻:
265 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
38.5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Tube
高度:
16.07 mm
長度:
10.36 mm
系列:
FDPF18N50
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.9 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
25 S
下降時間:
90 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
165 ns
工廠包裝數量:
1000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
95 ns
典型接通延遲時間:
55 ns
單位重量:
2.270 g