SK海力士表示將在年內做好批量生產的準備，并于2020年開始全面供應。
在推進DRAM的制造技術上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。
10月21日，SK海力士宣布了開發基于第三代1Z納米（10nm）工藝的DDR4動態隨機存儲器（DRAM），稱將實現單一芯片標準內世界最大容量的16GB，即在一張晶圓中能生產的存儲量達到現存的DRAM中最大。
據悉，新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數據傳輸速率，達到DDR4規格內最高速度；同時在功耗方面，與上一代相同容量模組相比，降低了約40%；此外，與上一代1Y納米產品相比，其產能提升約27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優勢。
值得指出的是，第三代產品使用了上一代生產過程中未使用的新材料來增加電容，而隨著電容的增加，存儲數據的保留時間和一致性也會增加，因而穩定性得以提升。
對于產品的商用，SK海力士表示將在年內做好批量生產的準備，并于2020年開始全面供應，以積極響應市場需求。此外，它計劃將第三代1Z納米級微細工程技術擴展到多種應用領域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
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