在美光、三星先后搞定1Znm工藝的16Gb DDR4 DRAM內存芯片后，SK海力士也終于跟上隊伍了。
16Gb DDR4-3200內存芯片是當前行業內存儲密度最高、速度最快的DRAM產品，預計明年開始大規模出貨。
能效指標方面，SK海力士稱1Znm相較于1Ynm，生產效率提升了27%；功耗與1Y nm 8Gb DRAM相比，下降了40%。
SK海力士透露，他們在1Znm世代導入了新研發的電容，還引入新設計，以提高穩定性。
按規劃，1Z nm很快將應用于LPDDR5、HBM3等芯片上，成為更優質產品的代名詞。
PS：
在內存工藝進入20nm之后，由于制造難度越來越高，內存芯片公司對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。
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