李先生：13691912091 QQ：1648252878
黃小姐：15012797976 QQ：1648477559
MSN:ltz52099@hotmail.com
CCD由許多感光單位組成，當CCD表面受到光線照射時XC4VLX80-10FF1148C，每個感光單位會將電荷反映在組件上，所有的感光單位所產生的信號加在一起，就構成了一幅完整的畫面。它就像傳統相機的底片一樣的感光系統，是感應光線的電路裝置，你可以將它想象成一顆顆微小的感應粒子，鋪滿在光學鏡頭后方，當光線與圖像從鏡頭透過、XC4VLX80-10FF1148C投射到CCD表面時，CCD就會產生電流，將感應到的內容轉換成數碼資料儲存起來。CCD像素數目越多、單一像素尺寸越大，收集到的圖像就會越清晰。
因此，盡管CCD數目并不是決定圖像品質的唯一重點，我們仍然可以把它當成相機等級的重要判準之一。目前掃描機、攝錄放一體機、數碼照相機多數配備CCD。
CCD與CMOS CCD與CMOS傳感器是當前被普遍采用的兩種圖像傳感器，兩者都是利用感光二極管(photodiode)進行光電轉換，將圖像轉換為數字數據，而其主要差異是數字數據傳送的方式不同。
造成這種差異的原因在于：CCD的特殊工藝可保證數據在傳送時不會失真，因此各個象素的數據可匯聚至邊緣再進行放大處理；而CMOS工藝的數據在傳送距離較長時會產生噪聲，因此，必須先放大，再整XC4VLX80-10FF1148C合各個象素的數據。CCD與CMOS傳感器的結構如右圖所示。
CCD經過長達35年的發展，大致的形狀和運作方式都已經定型。CCD 的組成主要是由一個類似馬賽克的網格、聚光鏡片以及墊于最底下的電子線路矩陣所組成。
CCD是由一系列排得很緊密的MOS電容器組成。它的突出特點是以電荷作為信號，實現電荷的存儲和電荷的轉移。因此，CCD工作過程的主要問題是信號電XC4VLX80-10FF1148C荷的產生、存儲、XC4VLX80-10FF1148C傳輸和檢測。以下將分別從這幾個方面討論CCD器件的基本工作原理。
MOS電容器
CCD是一種固態檢測器，由多個光敏像元組成，其中每一個光敏像元就是一個MOS（金屬—氧化物—半導體）電容器。但工作原理與MOS晶體管不同。
CCD中的MOS電容器的形成方法是這樣的：在P型或N型單晶硅的襯底上XC4VLX80-10FF1148C用氧化的辦法生成一層厚度約為100～150NM的SIO2絕緣層，再在SIO2表面按一定層次蒸鍍一金屬電極或多晶硅電極，在襯底和電極間加上一個偏置電壓（柵極電壓），即形成了一個MOS電容器。
CCD一般是以P型硅為襯底，在這種P型硅襯底中，多數載流子是空*，少數載流子是電子。在電極施加柵極電壓VG之前，空*的分布是均勻的，當電極相對于襯底施加正柵XC4VLX80-10FF1148C壓VG時，在電極下的空*被排斥，產生耗盡層，當柵壓繼續增加，耗盡層將進一步向半導體內延伸，這一耗盡層對于帶負電荷的電子而言是一個勢能特別低的區域，因此也叫做“勢阱”。
在耗盡狀態時，耗盡區電子和空*濃度與受主濃度相比是可以忽XC4VLX80-10FF1148C略不計的，但如正柵壓VG進一步增加，接口上的電子濃度將隨著表面勢成指數地增長，而表面勢又是隨耗盡層寬度成平方率增加的。這樣隨著表面電勢的進一步增加，在接口上的電子層形成反型層。而一旦出現反型層，MOS就認為處于反型狀態。顯然，反型層中電子的增加和因柵壓的增加的正電荷相平衡，因此耗盡層的寬度幾乎XC4VLX80-10FF1148C不變。反型層的電子來自耗盡層的電子—空*對的熱產生過程。對于經過很好處理的半導體材料，這種產生過程是非常緩慢的。因此在加有直流電壓的金屬板上迭加小的XC4VLX80-10FF1148C交流信號時，反型層中電子數目不會因迭有交流信號而變化。
