描述：DMG1016V-7
互補對增強模式MOSFET

特征:DMG1016V-7
•低導通電阻
•低柵極閾值電壓VGS（th）<1V
•低輸入電容
•切換速度快
•低輸入/輸出泄漏
•互補對MOSFET
•超小型表面貼裝封裝
•符合無鉛/ RoHS（注2）
•2.5kV HBM的ESD保護門
•“綠色”設備（注3）
•符合AEC-Q101標準的高可靠性

機械數據:DMG1016V-7
•案例：SOT-563
•外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料。UL易燃性分類等級94V-0
•濕度敏感度：J-STD-020D 1級
•端子連接：請參見圖
•端子：表面處理–霧錫在銅引線框架上退火。根據MIL-STD-202，方法208可焊接
•標記信息：請參見第7頁
•訂購信息：請參見第7頁
•重量：0.006克（大約）

制造商:DMG1016V-7
Diodes Incorporated
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-563-6
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
870 mA, 640 mA
Rds On-漏源導通電阻:
400 mOhms, 700 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
500 mV
Qg-柵極電荷:
736.6 pC, 622.4 pC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
530 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
DMG1016
晶體管類型:
1 N-Channel, 1 P-Channel
商標:
Diodes Incorporated
下降時間:
12.3 ns, 20.7 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
7.4 ns, 8.1 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延遲時間:
5.1 ns, 5.1 ns
單位重量:
3 mg