■ 產品描述：MB85RS64PNF-G-JNERE1
MB85RS64 是 FRAM （鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置為 8,192 × 8 位，通過鐵電工藝和硅柵 CMOS
工藝技術形成非易失性存儲單元。
MB85RS64 采用串行外設接口 (SPI)。
MB85RS64 與 SRAM 不同，無需備用電池即可保持數據。
MB85RS64 中使用的存儲單元可用于 1012 次讀 / 寫操作，它的讀 / 寫耐久性大大超過 FLASH 和 E2PROM。
MB85RS64 不會像 FLASH 或 E2PROM 那樣需要很長的數據寫入時間，而且 MB85RS64 不需要等待時間。

■ 特點：MB85RS64PNF-G-JNERE1
• 位配置 ：8,192 × 8 位
• 串行外圍設備接口 ：SPI （串行外設接口）
與 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信
• 工作頻率 ：20 MHz （最大）
• 高耐久性 ：1012 （一萬億）次 / 字節
• 數據保持 ：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
• 工作電源電壓 ：2.7 V 到 3.6 V
• 低功耗 ：工作電流 1.5 mA （20 MHz 下的典型值）
待機電流 5 μA （典型值）
• 工作環境溫度范圍 ：− 40 °C 到 + 85 °C
• 封裝 ：8 引腳塑料 SOP (FPT-8P-M02)
符合 RoHS