Vishay 帶鷗翼引線的 MOSFET 比 DPAK 節省了 50% 的空間

SQJ409EP-T1_GE3

Vishay的 -30 V 和 -40 V 汽車級 p 溝道 TrenchFET® 功率 MOSFET 采用帶鷗翼形引線的 PowerPAK SO-8L 封裝，旨在提高板級可靠性。與采用 DPAK 封裝的器件相比，其安裝面積減少了 50% 以上，符合 AEC-Q101 標準的 SQJ407EP 和 SQJ409EP，節省了 PCB 空間并降低了成本，同時其導通電阻比 5 mm x 6 mm 基底面引線的 MOSFET 更低。作為 p 溝道 MOSFET，這些器件可實現理想的負載開關，而無需電荷泵來提供 n 溝道同類產品所需的正柵極偏置。鷗翼形引線可在溫度循環、電路板彎曲、振動和跌落事故期間減輕機械應力。與剛性 QFN 封裝相比，SQJ407EP 和 SQJ409EP 均具有出色的板級可靠性，并可以通過自動光學檢查 (AOI) 流程獲得更一致、更可靠的結果。應用包括反極性電池保護以及用于 12 V 汽車系統中的電機驅動器和主電源的高端開關。

特性 緊湊的 5 mm x 6 mm PowerPAK SO-8L 封裝節省了 PCB 空間 鷗翼式引線提高了板級可靠性 10 V 時的導通電阻極低，分別低至 4.4 mΩ (SQJ407EP) 和 7.0 mΩ (SQJ409EP) 工作溫度高達 +175°C 無鉛、無鹵素且符合 RoHS 規范 經過 100% Rg 和 UIS 測試