深圳市大唐盛世半導體有限公司
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MwT-GK-C ： 公司優勢庫存。
特征：
K波段（18-26.5 GHz）頻率源應用
出色的頻率線性調頻性能
脈沖或連續操作
20年的可靠性能和可靠性
在MwT專屬GaAs晶圓廠中加工
提供包裝或模具形式
典型應用：
運動檢測和監視
微波發射器和接收器
軍用雷達
耿氏二極管振蕩器
雷達探測器
基于MwT預備外延輪廓設計和工藝技術，MwT-GK是Gunn
面向連續波和脈沖K波段（18-26.5 GHz）頻率源應用的二極管器件。 的
該器件的輸出功率為13 dBm，在脈沖操作模式下具有出色的線性調頻性能。 的
該器件是在MwT GaAs晶圓廠使用經過驗證的可靠性和魯棒性的工藝技術制造的。 MwT-GK有裸片或包裝形式。
MwT-GK Gunn二極管面向連續波和脈沖K波段（18-26.5 GHz）頻率源應用。 該設備的典型應用包括運動檢測和監視，
微波發射器和接收器，軍用雷達，耿氏二極管振蕩器和雷達探測器。
(MWt)成立于1982年，由具有廣泛經驗的砷化鎵(GaAs)器件設計和制造的技術負責人。由于一家工廠占地35，000平方英尺，該公司的主要資產包括其GaAs半導體工廠和一個混合芯片和線微波集成電路(HMIC)制造設施。垂直制造和產品強度為微波元件市場提供了不尋常的fl易用性和機會。
今天，MWt是一家領先的美國制造商，生產分立砷化鎵二極管和晶體管(FET、PHEMT和Gunn Diodes)。早期著重于設備可靠性的工作導致了專有的金屬化系統，使MWt的設備不受氫污染，這是目前高可靠性工業非常關注的項目。
這些設備采用專有的epi材料和四分之一微米的凹進柵工藝技術，產生高度線性(1WP-1dB無線放大器中的+48 dBmIP3)和低相位噪聲(17.5GHz DRO中的-125 dBc@100 kHz偏移)，功率輸出從10毫瓦到5瓦不等。這些設備作為芯片或封裝出售，fi廣泛用于10 MHz至40 GHz信號的放大fi傳輸或接收無線基礎設施系統、工業射頻應用以及各種國防和航天電子領域的信息
MGA-333840-02
MGA-242740-02
MGA-444940-02
MGA-445343-99
MGA-495940-02
MGA-515844-99
MGA-718540-HP3
MGA-718544-HP3
MwT-GK-P
MwT-GX-C
MwT-GX-P
