深圳市大唐盛世半導體有限公司
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MwT-0204S/Z-LN600 : 2 – 4 GHz低噪聲平衡放大器模塊。公司優勢庫存。
特點:•頻率范圍2至4 GHz
•噪聲系數0.7 dB
•小信號增益16 dB
•P1dB 19 dBm
•輸入/輸出RL 15 dB
描述:
MwT-0204S-LN600和MwT-0204Z-LN600是低噪聲開放載波放大器模塊,工作在
2和4 GHz,整個寬帶的噪聲系數極低。 它們的輸入和輸出端口匹配至50Ω
阻抗。 輸入和輸出匹配電路的基板是陶瓷的,并安裝在金屬上
運營商。 該模塊可輕松安裝到連接放大器的外殼上。 典型的噪聲系數為
整個頻段0.7 dB 典型的小信號增益為16 dB。 1dB壓縮點的功率輸出為19 dBm。 輸入和輸出VSWR為1.4:1
混合模塊
微型嵌入式混合放大器
低噪聲,高增益和高功率選項
增益塊,溫度補償和調節器選項
低VSWR以改善級聯性能
單電壓電源和低電流設計
使用MwT符合太空技術要求的GaAs器件和薄膜基板
100%共晶組裝技術確保高可靠性
標準和客戶特定規格
根據要求提供連接器放大器選項
提供高權限和太空角色篩選
(MWt)成立于1982年,由具有廣泛經驗的砷化鎵(GaAs)器件設計和制造的技術負責人。由于一家工廠占地35,000平方英尺,該公司的主要資產包括其GaAs半導體工廠和一個混合芯片和線微波集成電路(HMIC)制造設施。垂直制造和產品強度為微波元件市場提供了不尋常的fl易用性和機會。
今天,MWt是一家領先的美國制造商,生產分立砷化鎵二極管和晶體管(FET、PHEMT和Gunn Diodes)。早期著重于設備可靠性的工作導致了專有的金屬化系統,使MWt的設備不受氫污染,這是目前高可靠性工業非常關注的項目。
這些設備采用專有的epi材料和四分之一微米的凹進柵工藝技術,產生高度線性(1WP-1dB無線放大器中的+48 dBmIP3)和低相位噪聲(17.5GHz DRO中的-125 dBc@100 kHz偏移),功率輸出從10毫瓦到5瓦不等。這些設備作為芯片或封裝出售,fi廣泛用于10 MHz至40 GHz信號的放大fi傳輸或接收無線基礎設施系統、工業射頻應用以及各種國防和航天電子領域的信息
MGA-333840-02
MGA-242740-02
MGA-444940-02
MGA-445343-99
MGA-495940-02
MGA-515844-99
MGA-718540-HP3
MGA-718544-HP3
MwT-GK-C
MwT-GK-P
MwT-GX-C
MwT-GX-P
MwT-0307S/Z-LN600
MwT-0513S/Z-LN300
MwT-0718S/Z-LN300
MwT0206-11P2
MwT0206-1G1
MwT0206-1G2
MwT0206-2P2