STMicroelectronicsMDmesh DM6 650 V MOSFET 系列結合了優化的電容曲線和壽命終止過程,從而實現了低柵極電荷 (QG)、極低恢復電荷 (Qrr)、短恢復時間 (trr) 以及更佳的單位面積 RDS(ON)。MDmesh DM6 MOSFET 系列是當今全橋和半橋拓撲的參考。
特性 快速恢復體二極管 相比前幾代,單位面積 RDS(ON)更小 低柵極電荷、輸入電容和電阻 100% 通過雪崩測試 極高 dv/dt 穩健性 齊納保護應用
開關應用發布時間:2019/12/18 9:22:00 訪問次數:175 發布企業:深圳市徠派德電子有限公司
STMicroelectronicsMDmesh DM6 650 V MOSFET 系列結合了優化的電容曲線和壽命終止過程,從而實現了低柵極電荷 (QG)、極低恢復電荷 (Qrr)、短恢復時間 (trr) 以及更佳的單位面積 RDS(ON)。MDmesh DM6 MOSFET 系列是當今全橋和半橋拓撲的參考。
特性 快速恢復體二極管 相比前幾代,單位面積 RDS(ON)更小 低柵極電荷、輸入電容和電阻 100% 通過雪崩測試 極高 dv/dt 穩健性 齊納保護應用
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