30V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用D-Pak封裝
優勢：IRFR3709ZTRPBF
符合RoHS
具有一流先進的品質
低RDS（ON）@ 4.5V VGS
完全完全特性化的雪崩電壓和電流
超低的二氧化碳濃度
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續漏極電流:86 A
Rds On-漏源導通電阻:6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.25 V
Qg-柵極電荷:17 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:79 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長度:6.5 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
商標:Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:51 S
下降時間:3.9 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:12 ns
工廠包裝數量:2000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:15 ns
典型接通延遲時間:12 ns
零件號別名:SP001573340
單位重量:4 g
