60V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用D2-Pak封裝
優勢：IRFS3306TRLPBF
優化分銷合作伙伴的廣泛可用性
根據JEDEC標準進行產品驗證
針對10 V電壓驅動電壓進行了優化（稱為正常替代）
工業標準通表面安裝功率封裝
高電流承載能力封裝（高達195A，芯片面積可變化）
可用于波焊
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續漏極電流:160 A
Rds On-漏源導通電阻:3.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:85 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:230 W
配置:Single
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:4.4 mm
長度:10 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:9.25 mm
商標:Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:230 S
下降時間:77 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:76 ns
工廠包裝數量:800
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:40 ns
典型接通延遲時間:15 ns
零件號別名:SP001568056
單位重量:4 g
