200V正極N通道HEXFET功率MOSFET開關，采用D2-Pak封裝
優勢：IRFS4127TRLPBF
優化分銷合作伙伴的廣泛可用性
根據JEDEC標準進行產品驗證
針對10 V電壓驅動電壓進行了優化（稱為正常替代）
工業標準通表面安裝功率封裝
高電流承載能力封裝（高達195A，芯片面積可變化）
可用于波焊
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續漏極電流:72 A
Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:100 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:375 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長度:6.5 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
商標:Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:79 S
下降時間:22 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:18 ns
工廠包裝數量:800
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:56 ns
典型接通延遲時間:17 ns
零件號別名:SP001557360
單位重量:4 g
