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IRF530N

發布時間:2019/12/23 11:26:00 訪問次數:628 發布企業:深圳市博浩宇科技有限公司

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24C04
SKM500GA123D
MOC3063
規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 17A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 90 毫歐 @ 9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 37nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 70W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3

TONY.ZOU(鄒澤凱)
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