標準包裝 2,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 有源
類別 集成電路(IC)
產品族 存儲器
系列 汽車級,AEC-Q100
其它名稱 557-1741-2
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR-ND
規格 存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術 SDRAM - DDR3L
存儲容量 4Gb (256M x 16)
存儲器接口 并聯
時鐘頻率 933MHz
寫周期時間 - 字,頁 -
訪問時間 20ns
電壓 - 電源 1.283V ~ 1.45V
工作溫度 -40°C ~ 105°C(TC)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 96-TFBGA
供應商器件封裝 96-FBGA(8x14)
文檔 HTML 規格書 MT41K512M8, MT41K256M16
圖像和媒體 產品相片 96-TFBGA
XC5VLX30T-3FFG665I
XC5VLX30T-3FFG665C
XC5VLX50-1FFG676C
XC5VLX50-2FFG676C
XC5VLX50-1FFG676I
XC5VLX50-2FFG676I
XC5VLX50-3FFG676I
XC5VLX50-3FFG676C
XC6VLX130T-2FFG1156C
XC6VLX130T-1FFG1156C
XC6VLX130T-2FFG1156I
XC6VLX130T-2FFG1156I
XC6VLX130T-3FFG1156I
XC6VLX130T-3FFG1156I
XC6VLX130T-3FFG784I
XC6VLX130T-2FFG784I
XC6VLX130T-1FFG784I
XC6VLX130T-3FFG784C
XC6VLX130T-2FFG784C
XC6VLX130T-1FFG784C
XC6VLX195T-2FFG1156I
XC6VLX195T-2FFG1156C
XC6VLX195T-1FFG1156I
XC6VLX195T-1FFG1156C
XC6VLX240T-2FF1759C
XC6VLX240T-1FF1759C
XC6VLX240T-2FF1759I
XC6VLX240T-1FF1759I
XC6VLX240T-2FFG1156I
XC6VLX240T-2FFG1156C
XC6VLX240T-1FFG1156I
XC6VLX240T-1FFG1156C
XC6VLX365T-1FFG1156I
XC6VLX365T-2FFG1156I
XC6VLX365T-1FFG1156C
XC6VLX365T-2FFG1156C
XC6VLX365T-1FFG1759I
XC6VLX365T-2FFG1759I
XC6VLX365T-1FFG1759C
XC6VLX365T-1FFG1759C
XCVU9P-2FLGA2577I
XCVU13P-2FHGB2104I
XCVU13P-1FHGB2104I
XC5VLX50T-1FFG1136C
XC5VLX50T-1FFG1136I
XC5VLX50T-2FFG1136C
XC5VLX50T-2FFG1136I
XC5VLX50T-3FFG1136C
XC5VLX50T-3FFG1136I
XC5VLX50T-1FFG665C
典型比如5nm之后,不斷拉高的深度和寬度之比(為了避免短溝道效應,鰭片的寬度應該小于柵極長度的0.7倍),他進一步解釋到,“這將使得鰭片難以在本身材料內部應力的作用下維持直立形態,尤其是在能量更高的EUV制程導入之后,這樣的狀況會更為嚴重,甚至光子在如此小的尺度下將呈現量子效應從而帶來大量的曝光噪音,會嚴重影響5nm產品的質量和性能,而且柵極距過小也將帶來更多不可控的情況。”這也意味著要想攻破5nm技術層的重重屏障,從核心工藝和基礎層設計上去做出更多的創新和突破是當前最直接的做法,如此才能逐步發掘出真正能夠提升良率和降低成本的最優化方案。但這也意味著從現在開始,到5nm芯片后續全面投產的整個過程中,需要持續且大量的資本和人力注入,這注定是一筆不菲的開支。
總之,對于任何一家志在競逐全球芯片設計“霸主”的廠商來說,5nm節點是必須挺進的領域。縱然,當前行業在良率提升和成本優化等問題上尚未出現“最優解”,但隨著接下來臺積電和三星等國際芯片制造巨頭在工藝層上的突破,加之如蘋果、高通、聯發科和華為等一眾芯片廠商相關5nm產品的試制和量產,相信市場會很快做出正確的選擇。但在這之前,5nm領域必然是一場考驗時間、資本以及耐性的較量,畢竟前期投入不菲,而且需要從芯片設計商、制造商甚至終端集成商們各關鍵環節之間長期且密切的溝通與合作。正如MediaTek李宗霖所說:“往往越先進的制程,就需要越長的開發周期,因為這其中蘊藏著很多難以預測的挑戰。”最終,只有真正能耐住性子精鉆細磨的玩家,才能最終站上5nm時代的高臺。
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