描述：STGW60H65DFB

這些器件是使用先進的專有溝槽柵場截止結構開發的IGBT。 這些器件是新的HB系列IGBT的一部分，
代表傳導和開關損耗之間的最佳折衷
最大化任何變頻器的效率。 此外，略微正面
VCE（sat）溫度系數和非常緊密的參數分布可確保更安全
并行操作。


特征：STGW60H65DFB
•最高結溫：TJ = 175°C
•高速開關系列
•尾電流最小
•低飽和電壓：IC = 60 A時，VCE（sat）= 1.6 V（典型值）
•緊密的參數分布
•安全并行
•正VCE（sat）溫度系數
•低熱阻

•超快速軟恢復反并聯二極管

應用領域：STGW60H65DFB
•光伏逆變器

•高頻轉換器

STGW60H65DFB

制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.6 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 375 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: STGW60H65DFB
封裝: Tube
集電極最大連續電流 Ic: 60 A
商標: STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
單位重量: 38 g