使用先進的PowerMESH™技術。 這個
工藝保證極佳的權衡
在開關性能和低導通狀態之間
行為。
特征：STGB19NC60KDT4
低壓降（VCE（sat））
低CRES / CIES比率（無交叉傳導）
磁化率）
短路耐受時間10μs
IGBT與超快續流二極管共封裝‘’
高頻逆變器
電機驅動器
制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: D2PAK-3
安裝風格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: STGB19NC60KDT4
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
集電極最大連續電流 Ic: 35 A
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
寬度: 9.35 mm
商標: STMicroelectronics
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
單位重量: 2.240 g
