描述：STP3NK80Z
這些高壓設備受齊納保護N溝道功率MOSFET使用
SuperMESH™技術
意法半導體，對
完善的PowerMESH™。 除了一個
這些大大降低了導通電阻
設備旨在確保高水平的
dv / dt功能最苛刻
應用程序。 這樣的系列補充了ST的全部內容
范圍的高壓MOSFET包括
革命性的MDmesh™產品
特征：STP3NK80Z
最大訂購號VDS RDS（on） ID
STD3NK80Z-1 800 V 4.5Ω2.5 A
STD3NK80ZT4 800 V 4.5Ω2.5安
STF3NK80Z 800 V 4.5Ω2.5 A
STP3NK80Z 800 V 4.5Ω2.5 A
極高的dv / dt功能
經過100％雪崩測試
柵極電荷最小化
齊納保護
切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 19 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
配置: Single
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
系列: STP3NK80Z
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 40 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 36 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 2 g
