描述：STP80NF70
STP80NF70是N通道功率MOSFET通過意法半導體實現獨特
STripFET™工藝。 特別是
設計用于最小化輸入電容和柵極
收費。 因此，該設備適用于
先進的高效開關應用。
特征：STP80NF70
■出色的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 68 V
Id-連續漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 75 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Tube
配置: Single
系列: STP80NF70
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
下降時間: 75 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 90 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 330 mg
