描述：STP80NF10
該功率MOSFET系列實現了意法半導體獨特的STripFET工藝具有
專為減少輸入而設計
電容和柵極電荷。 因此
適用于電信高級高效隔離DC-DC轉換器中的主開關
和計算機應用程序。 它也用于
低柵極電荷驅動的任何應用
要求。
特征：STP80NF10
■出色的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■面向應用程序的表征
■切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 15 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 135 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
系列: STP80NF10
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 50 S
下降時間: 60 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 80 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 116 ns
典型接通延遲時間: 26 ns
單位重量: 1.438 g
