深圳市大唐盛世半導體有限公司
手 機:17727572380(程R) 。13008842056(張R)
電 話:0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
IGN0912L500 : L波段航空電子晶體管-GaN。公司優勢庫存。
GaN on SiC HEMT技術
POUT-PK = 500W @ 444 X 7uS ON,6us OFF / 22.7%DC / 50V
0.96-1.22GHz瞬時工作頻率范圍
內部阻抗預匹配器件
耗盡模式設備
要求負柵極電壓和偏置排序
指定用于AB級操作下
陶瓷環氧蓋密封的金屬基包裝
金金屬化系統:芯片-引線鍵合-封裝
包裝尺寸:W = 1.340英寸(34.04mm),L = 0.540英寸(13.72mm)
100%高功率射頻在寬帶射頻測試治具中測試
公司優勢庫存:
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500
ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
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ILD1011M1000HVC
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