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IGN0912L500

發布時間:2020/4/24 15:57:00 訪問次數:229 發布企業:深圳市大唐盛世半導體有限公司

深圳市大唐盛世半導體有限公司

手 機:17727572380(程R) 。13008842056(張R)

電 話:0755-83226739

Q Q:626839837。3160836686

IGN0912L500 : L波段航空電子晶體管-GaN。公司優勢庫存。


GaN on SiC HEMT技術
POUT-PK = 500W @ 444 X 7uS ON,6us OFF / 22.7%DC / 50V
0.96-1.22GHz瞬時工作頻率范圍
內部阻抗預匹配器件
耗盡模式設備
要求負柵極電壓和偏置排序
指定用于AB級操作下
陶瓷環氧蓋密封的金屬基包裝
金金屬化系統:芯片-引線鍵合-封裝
包裝尺寸:W = 1.340英寸(34.04mm),L = 0.540英寸(13.72mm)
100%高功率射頻在寬帶射頻測試治具中測試

公司優勢庫存:

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