深圳市大唐盛世半導體有限公司

手 機：17727572380（程R) 。13008842056(張R）

電 話：0755-83226739

Q Q:626839837。3160836686

IGN1214L30 ： 波段雷達晶體管-GaN。公司優勢庫存。

波段雷達晶體管-GaN
GaN on SiC HEMT技術
POUT-PK≥30W @ 5毫秒/ 30％/ 42V
1.2-1.4GHz瞬時工作頻率范圍
內部阻抗預匹配器件
耗盡模式設備
要求負柵極電壓和偏置排序
指定用于AB級操作下
陶瓷環氧蓋密封的金屬基包裝
金金屬化系統：芯片-引線鍵合-封裝
包裝尺寸：W = 0.800英寸（20.32mm），L = 0.230英寸（5.84mm）
“ S”包裝尺寸：W = 0.390英寸（9.91毫米），L = 0.230英寸（5.84毫米）
100％高功率射頻在寬帶射頻測試治具中測

公司優勢庫存：

IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500

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ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
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ILD1011M160HV
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