深圳市大唐盛世半導體有限公司
手 機：17727572380（程R) 。13008842056(張R）
電 話：0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
IDM30512CW50 ： 寬帶射頻功率MOSFET。公司優勢庫存。
寬帶射頻功率MOSFET
高功率晶體管部件號IDM30512CW50為
設計用于在VHF / UHF頻段上運行的VHF / UHF頻段系統
連續波條件下30-512 MHz的頻帶。 在
該雙MOSFET的30-512MHz的瞬時工作頻帶
該設備能夠提供至少50瓦的輸出
功率。 所有設備在窄帶RF測試中均經過100％屏蔽
夾具可在400MHz頻率下提供至少50W的輸出功率。
硅MOSFET
−高功率增益
−出色的熱穩定性
AB類操作
−柵極偏置至IDQ = 2x100mA
組態
−共同來源
金金屬
−最大可靠性
BeO包
−無與倫比的熱可靠性
環氧密封蓋
−合格的總泄漏
射頻測試治具
−窄帶
−匹配50Ω
−長期相關
− 100％設備RF屏蔽
−無需外部調整
公司優勢庫存：
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500
ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
ILD1011M550HV
ILD1011L950HV
ILD1011M1000HVC
ILD1011M160HV
ILD1011M280HV
ILD0912M15HV
ILD0912M60
ILD0912M150HV
ILD0912M400HV
IB450S300
IB450S500
IB0607S100
IB0607S1000
IB0912L30
IB0912L70
IB0912M70
IB0912L200
IB0912M210
IB0912M350
IB0912M500
IB0912M600
IB1012S10
IB1012S20
IB1012S50
IB1012S150
IB1012S500
IB1012S800
IB1012S1100
IB1011M10
IDM175CW300
IDM500CW200
IDM500CW300
IDM30512CW20
IDM30512CW50
IDM30512CW100
IDM165L650
IDM265L650
