OC5011是一款高端電流檢測降壓型高精度高亮度LED恒流驅動控制器。
OC5011通過一個外接電阻設定輸出電流，最大輸出電流可達5A；電流精度±3%；外圍只需很少的元件就可實現降壓、恒流驅動功能，并可以通過DIM引腳實現輝度控制功能。
系統采用電感電流滯環控制方式，對負載瞬變具有非常快的響應，對輸入電壓 具有高的抑制比； 其電感電流紋波為20%，且最高工作頻率可達1MHz。
OC5011特別適合寬輸入電壓范圍的應用，其輸入電壓范圍從5.5V到40V。
OC5011內置過溫保護電路，當芯片達到過溫保護點，系統立即進入過溫保護模式，將降低輸入電流以提高系統可靠性。
OC5011特別內置了一個LDO，其輸
出電壓為5V， 最大可提供5mA電流輸出。
OC5011采用小的SOT23-6封裝。
特點：
◆最大輸出電流：5A
◆高效率：96%
◆高端電流檢測
◆最大輝度控制頻率：5KHz
◆滯環控制，無需環路補償
◆最高工作頻率：1MHz
◆電流精度：±3%
◆寬輸入電壓：5.5V~40V
◆過溫保護
◆低壓差工作時，可保持高穩定性
應用領域：
◆建筑、工業、環境照明
◆MR16及LED燈
◆汽車照明
升壓恒流:
OC6701 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可3A以內
OC6700 3.2～60V 大于輸入電壓2V以上即可 2A以內
OC6702 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可 1A以內
降壓恒流:
OC5021 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5020 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5022 3.2～60V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 3A以內
OC5028 3.2～100V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作1.5A以內
OC5011 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5010 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作2A以內
LED DRIVER DC-DC升降壓恒流
OC4001 5～100V 3.2～100V 3A
LED DRIVER DC-DC線性降壓恒流
OC7135 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可固定<400mA
OC7131 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可 可外擴，實際電流決定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于輸入電壓即可 實際電流決定于IC整體耗散功率
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：LED遠近光燈專用芯片
OC5200 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5208 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 1.5A以內
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：多功能LED手電筒專用芯片
OC5351 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5331 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 5A以內
DC-DC降壓恒壓
OC5801 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作 3A以內
OC5800 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作2A以內
近幾年來，中國的半導體行業蓬勃發展，市場需求保持快速增長。
據中投產業研究院數據，2017年中國大陸地區半導體設備銷售額達82．3億美元，2018年為131．1億美元，同比增長達59％，銷售額度較去年增長了近48．4億美元，可見中國市場對半導體產品的迫切需求。同時，中國以131．1億美元的銷售額超越臺灣，成為世界第二大半導體制造設備銷售市場。
得益于國內市場的良好態勢，中芯國際的營收表現亮眼。與此同時，中芯國際的技術工藝也迎來振奮人心的突破，但同時也面臨一些外部的挑戰。
通訊、消費品，仍是營收主力
在國內半導體需求迅猛增長的情況下，中芯國際也交出了一份不錯的成績單。
5月13日，中芯國際發布了2020年Q1財務報表。第一季度銷售額為9．059億美元，相較2019年第四季度增長7．8％；毛利為2．3億美元，較2019年第四季度增長17．1％；毛利率為25．8％，較2019年第四季度增長23．8％，凈利潤達到了6416．4萬美元，同比增長更是達到了422．8％。
總體來看，中芯國際在2020年開局取得了不錯的成績。尤其是凈利潤表現亮眼，在其凈利潤迅猛增長的背后，通訊消費品依舊是營收貢獻的主力。據中芯國際產品分類數據，通訊和消費類產品總占據業務總量的80％。
通訊產品一直是中芯國際營收的核心。2019年通訊產品占到了中芯國際總營收的46％，而中芯國際通訊業務營收的迅速增長，與國內電子產品廠商將訂單轉給中芯國際有關。
從2019年底開始，華為就陸續將設計芯片的訂單從臺積電轉到中芯國際。近日，華為又宣布將旗下的海思半導體14納米FinFET工藝部分芯片代工訂單交由中芯國際完成。華為訂單的轉移，一方面幫助了中芯國際提升其在14nm量產水平；另一方面，也助力了中芯國際的營收增長。
此外，消費類芯片也是中芯國際另一大營收來源。國內消費電子市場不斷快速增長，智能手機、液晶電視、DVD播放機、數碼相機和攝像機等產品需求不斷增長，帶動了中芯國際等半導體企業在該類業務領域的發展。
中芯國際在2020年第一季度表現亮眼，但其面臨的技術問題仍然不可忽視。為了在技術上尋求突破，中芯國際開展N＋1、N＋2工藝戰略，直追臺積電7nm制程工藝。
N＋1工藝，力求破局
最新消息，中芯國際CEO梁孟松宣布中芯國際目前正在全力研發N＋1工藝，已進入客戶導入產品認證階段，并且提到N＋1工藝的芯片相較14nm性能提升20％、功耗降低57％、邏輯面積縮小63％，SoC面積縮小55％。
從中芯國際N＋1工藝芯片性能來看，幾乎相當于臺積電第一代7nm工藝，預計年底即可量產。
值得注意的是，中芯國際的N＋1工藝并不等于7nm工藝。市場上7nm工藝相較14nm，基準提升幅度是35％，而中芯國際的N＋1工藝提升幅度為20％，相較略為遜色。但其成本較低，且N＋1工藝制程并不需要EUV。在這一點上，中芯國際無疑是取得了技術性的突破。
N＋1取得的喜人成就，不禁讓業界對中芯國際的N＋2工藝充滿期待，N＋2工藝在性能上比N＋1進一步提升，更逼近市場7nm工藝。
相對于半導體市場的7nm，N＋1工藝上雖然比7nm稍顯遜色，但其成本比市場上的7nm低大約10％。對于半導體產品需求大的廠商，無疑這個突如其來的喜訊定會引起他們極大的興趣。此外，相較美國控股的臺積電，中芯國際顯然更值得他們信賴。
中芯國際在制程工藝上的進步，對國內半導體企業有著很大的激勵作用。然而，中芯國際的技術發展之路上，并不是一帆風順的。
不容忽視的技術代差
早在2017年，中芯國際的集成電路制造工藝還停留在28nm階段，而此時的臺積電已經開始量產10nm集成電路芯片。28nm和10nm之間還間隔著14nm的制作工藝差距。數據顯示，同功耗下14nm可達到的頻率比28nm要高出61％。中芯國際和臺積電的技術差距可想而知。
這個問題，隨著梁孟松的加入，終于有了改觀。梁孟松用了僅僅300天的時間，就讓中芯國際實現了從28nm到14nm的技術跨越，14nm芯片的良品率也從3％提高到 95％。可以說，梁孟松的加入帶動了中芯國際制程工藝的跨越式發展。中芯國際實現28nm到14nm的跨越，也極大地振奮了國內自主芯片產業的信心。
2020年1月份，中芯國際再次傳來了令人激動的喜訊，中芯國際旗下的的中芯南方集成電路制造有限公司宣布首條14nm生產線投入生產。
然而，中芯國際的集成電路制造技術距世界先進水平還是有很大差距。不久前，臺積電宣布5nm生產線即將投入量產，而同為半導體產業的三星已經將目光轉向3nm生產線。在芯片領域，14nm和5nm之間還間隔著7nm的技術差距，也就是說，中芯國際和臺積電的半導體技術仍然相差兩代。
中芯國際制造技術突破的道路上，有兩個難題——技術封鎖和資金匱乏。
眾所周知，半導體產業發展是建立在“燒錢”模式上的。每一次納米工藝的進步，其成本都以幾何倍增長。2019年中芯國際投入研發的資金達6．874億美元，占銷售收入的22％。
圓晶的成本隨著制程的金屬層數隨著工藝的演進不斷提升。例如13nm制程有六層金屬，5nm最少會有14層金屬，此外，半導體制作中還要引入新的技術，14nm時需要引入FinFET技術，5nm時引入堆疊橫向納米線技術。
其次是光刻技術成本。40nm和45nm制程需要用到40層光罩，而14nm和10nm就需要60層光罩。這對光刻機的要求近乎是苛刻的，而全球僅有一家成功成功開發EUV的公司——荷蘭的阿斯麥。去年5月，中芯國際向荷蘭訂購一臺光刻機，而這臺光刻機的價格就達1．2億歐元，其價格相當于兩架波音737。
再者，美國一直掌握著半導體產業的核心技術，對中國半導體企業進行技術封鎖。據路透社報道，美國周一宣布對中國半導體設備限制出口，防止中國通過民用商業等途徑獲取半導體設備和技術。
縱觀中芯國際發展歷程，在重重困境中一步步走到今天，實屬不易。雖然中芯國際的工藝實力相較于世界頂尖水平還有差距，但中芯國際依舊給業界創造了不少奇跡。N＋1工藝已經逼近7nm水準，而往后性能更加強大的的N＋2工藝，必然能在技術上讓中芯國際更有底氣。
中芯國際此次技術工藝的突破，對中國半導體企業來說也具有戰略意義。一方面，中芯國際的技術突破讓“中國芯”在半導體產業有了更多的話語權，為中國電子產品企業的進一步發展奠定了基礎。另一方面，中芯國際的新工藝也為我國半導體企業研發爭取了更多的時間。
不過，目前國內半導體產業仍處于發展階段，還存在很大差距，這也意味著中芯國際的前行之路依舊任重道遠。在半導體產業大環境不利的情況下，中芯國際技術發展之路，必然充滿著千難萬險。
