2N7002LT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管

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技術參數 額定電壓(DC) 60.0 V 額定電流 115 mA 無鹵素狀態 Halogen Free 漏源極電阻 7.50 Ω 極性 N-Channel 耗散功率 225mW（Ta） 漏源極電壓(Vds) 60.0 V 漏源擊穿電壓 60.0 V 柵源擊穿電壓 -20.0 V to 20.0 V 連續漏極電流(Ids) 115 mA 封裝參數 安裝方式 Surface Mount 引腳數 3 封裝 SOT-23 外形尺寸 封裝 SOT-23 其他 產品生命周期 Active 包裝方式 Cut Tape (CT) 制造應用 Industrial, 工業 符合標準 RoHS標準 Compliant 含鉛標準 Lead Free