AON6262E Alpha (萬代半導體) MOS管

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技術參數 極性 N-CH 耗散功率 48000mW 漏源極電壓(Vds) 60V 連續漏極電流(Ids) 40A 封裝參數 封裝 DFN 外形尺寸 封裝 DFN 其他 產品生命周期 Active 符合標準 RoHS標準 含鉛標準 無鉛