Micro Commercial Components的分柵技術MOSFET提供極低的RDS(on)值,并允許在較小的封裝中提供更高的電流密度。這使其適合于應用中節省空間和高效率的要求。
分割門的優勢 增加BVDSS 漂移區中較高的N摻雜使RDS(on)最小化 降低QGD從而減少米勒電荷耦合 改進的FOM減少了開關和傳導損耗 當前SGT產品組合的額定范圍為30 V至150 V,最低RDS(on)值為1.5mΩ 特點和優點 各種LV MOSFET產品組合 RSP值低(特定的通態電阻) 高效率 高質量 交貨快MCAC80N10Y-TP
發布時間:2020/7/8 9:44:00 訪問次數:194 發布企業:深圳市徠派德電子有限公司
分柵技術MOSFET
MCC的分柵技術MOSFET適用于應用中節省空間和高效率的要求
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