UJ3N065025K3S

發布時間:2020/7/15 9:37:00 訪問次數:139 發布企業:深圳市徠派德電子有限公司

UJ3N系列SiC JFET UnitedSiC的UJ3N系列SiC JFET具有低柵極電荷，可實現低導通并降低開關損耗

UnitedSiC的UJ3N系列SiC JFET的圖像 UnitedSiC的UJ3N系列是從650V到1200V的高性能SiC常通JFET晶體管，具有低至25mohm的超低導通電阻（RDS（ON））。柵極電荷（QG）也很低，從而可實現低導通，降低開關損耗以及電路保護。

特征 650 V至1200 V設備選項 25 mohm的低導通電阻限流：由于自發熱導致電流快速降低，限制了I2t 常開JFET：VG（th）隨溫度不變符合RoHS 應用領域過電流保護電路 DC / AC逆變器開關電源功率因數校正模塊馬達驅動器感應加熱

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