描述：IPP50R190CE

500V CoolMOS™CE是一種高性價比的平臺，能夠滿足消費產品和照明市場中成本敏感型應用，同時仍能滿足高效率標準。該新系列快速開關超結MOSFET的所有優點，同時又不犧牲 易用性，并且具有市場上出色的成本性能比。


特征描述：IPP50R190CE
減少儲存在輸出電容中的能量（E oss）
體二極管耐久性良好
減少反向恢復系數（Q rr）

減少甲醛含量（Q g）

優勢：IPP50R190CE
易于控制開關行為
與之前的幾代CoolMOS™比例，具有更高的輕載效率
與標準MOSFET比例，成本降低吸引力

杰出的CoolMOS™技術質量和可靠性

潛在應用：IPP50R190CE
消費品
照明

PC銀盒

IPP50R190CE

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 24.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 47.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 152 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
系列: CoolMOS CE
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 7.5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.5 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 54 ns
典型接通延遲時間: 9.5 ns
零件號別名: SP000850802 IPP50R190CEXKSA1
單位重量: 6 g