91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 企業新聞

IPP60R199CP

發布時間:2020/11/15 19:43:00 訪問次數:142 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:IPP60R199CP

CoolMOS™CP是英飛凌第五個CoolMOS™系列產品,專門設計用于ATX,筆記本適配器PDP和LCD電視的軟硬開關拓撲,CCM PFC以及PWM。

特征描述:IPP60R199CP
極低的R on x Q g品質因數
極低的氟化碳
極端dv / dt額定值
極低的R DS(on),超低的放電電壓,極快速開關
V th為3 V,g fs極高,內部R g非常低
高電流能力
顯著減少減少和開關損耗
高功率密度和效率,實現更高功率轉換系統

出色性價/性能比


潛在應用:IPP60R199CP
太陽能
服務器
通信
消費品
適配器

計算機電源


IPP60R199CP

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導通電阻: 180 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 43 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
系列: CoolMOS CE
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 50 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: SP000084278 IPP6R199CPXK IPP60R199CPXKSA1
單位重量: 6 g

上一篇:IPP50R190CE

下一篇:IPP60R125C6

相關新聞

相關型號



 復制成功!
平陆县| 江安县| 慈利县| 晋中市| 乐都县| 深州市| 岳西县| 砀山县| 宁武县| 正镶白旗| 闽侯县| 蚌埠市| 抚远县| 宁德市| 中牟县| 奎屯市| 彭山县| 高密市| 陇川县| 巴东县| 定兴县| 嘉黎县| 柳河县| 湖南省| 车致| 克什克腾旗| 沾化县| 申扎县| 疏勒县| 晋中市| 镶黄旗| 武川县| 深州市| 甘孜| 祥云县| 绿春县| 衡南县| 建阳市| 侯马市| 陇南市| 怀宁县|