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BSS123N H6327

發布時間:2020/11/19 20:36:00 訪問次數:152 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:BSS123N H6327
所有的小型小型n通道系列產品均適合汽車應用(2N7002除外)。


特征描述:BSS123N H6327
增強模式
無鉛鍍層;符合RoHS
質量符合AEC Q101標準


潛在應用:BSS123N H6327
汽車
消費品
直流-直流
電動交通
電機控制
板載充電器
通信


BSS123N H6327

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 190 mA
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.4 V
Qg-柵極電荷: 0.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 2.9 mm
系列: BSS123
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 1.3 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 410 mS
下降時間: 22 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.2 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 7.4 ns
典型接通延遲時間: 2.3 ns
零件號別名: BSS123NH6327XT SP000870646 BSS123NH6327XTSA1
單位重量: 8 mg

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