描述：BSS315P H6327
英飛凌高度創新型OptiMOS™系列包括P通道功率MOSFET。這些產品始終滿足電力系統設計關鍵規范中的至規范和性能要求，例如導通電阻特性和品質因數特性。


特征描述：BSS315P H6327
增強模式
雪崩等級
無鉛鍍層；符合RoHS

潛在應用：BSS315P H6327
消費品
直流-直流
電動交通
電機控制
應用指南
板載充電器

BSS315P H6327

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 1.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 113 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 2.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 2.9 mm
系列: BSS315
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.3 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 2.7 S
下降時間: 7.5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6.5 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 14.3 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
零件號別名: SP000928946 BSS315PH6327XT BSS315PH6327XTSA1
單位重量: 8 mg