描述：IHW30N135R3
單片二極管反向導通IGBT

特征：IHW30N135R3
•提供新的更高的擊穿電壓至1350V
可靠性
•功能強大的單向二極管，正向電壓低
專為軟換向而設計
•TRENCHSTOPTM技術提供：
-非常緊密的參數分布
-堅固耐用，溫度穩定
-低VCEsat
易于并行切換能力
溫度系數
•低EMI
•針對目標應用符合JESD-022
•無鉛電鍍；符合RoHS
•無鹵素（符合IEC61249-2-21）
•完整的產品頻譜和PSpice模型：

應用范圍：IHW30N135R3
•感應烹飪
•倒置微波爐
•諧振轉換器
•軟交換應用
Packagepin定義：
•Pin1門
•Pin2＆背面收集器
•Pin3-發射極

、

IHW30N135R3

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1350 V
集電極—射極飽和電壓: 1.65 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 349 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: RC
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: IHW3N135R3XK SP000989496 IHW30N135R3FKSA1
單位重量: 6 g