描述：IRGP4066DPBF
600 V，75 A IGBT，采用TO-247封裝
600 V，75 A IGBT，帶反并聯二極管采用TO-247封裝。
功能概要：IRGP4066DPBF
低V CE（ON）常規IGBT技術
低開關損耗
最高結溫175°C
5μS短路SOA
方形RBSOA
100％的零件經過ILM測試
正V CE（ON）溫度系數
緊密的參數分布
無鉛包裝
好處：IRGP4066DPBF
廣泛應用中的高效率
低V CE（ON）和低開關損耗，適用于各種開關頻率
堅固的瞬態性能可提高可靠性
并行運行中出色的均流
潛在的應用：IRGP4066DPBF
太陽能系統解決方案
不間斷電源（UPS）
工業加熱和焊接
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 140 A
Pd-功率耗散: 454 W
最小工作溫度: - 55 C
封裝: Tube
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
寬度: 5.31 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 400
子類別: IGBTs
單位重量: 38 g
