IV（DDR4）同步DRAM，非常適合需要大存儲密度和高帶寬的主存儲應用。 SK hynix 8Gb DDR4 SDRAM提供完全同步的操作，參考時鐘的上升沿和下降沿。當所有地址和控制輸入均被鎖存時
CK的上升沿（CK的下降沿），數據，數據選通和寫入數據掩碼輸入為
在其上升沿和下降沿都采樣。數據路徑在內部進行了流水線處理，并已預取8位
實現很高的帶寬。
特征：H5AN8G6NAFR-UHC
•VDD = VDDQ = 1.2V +/- 0.06V
•完全差分時鐘輸入（CK，CK）操作
•差分數據選通（DQS，DQS）
•片上DLL將CK的DQ，DQS和DQS過渡對齊
過渡
•DM掩碼在上升和下降時均寫入數據
數據選通的邊緣
•除數據，數據外的所有地址和控制輸入
選通和數據掩碼鎖定在上升沿
時鐘
•可編程CAS延遲9、10、11、12、13、14、15
支持16、17、18、19和20
•可編程附加延遲0，CL-1和CL-2
支持（僅x4 / x8）
•可編程CAS寫入延遲（CWL）= 9、10、11
12、14、16、18
•可編程突發長度為4/8，兩個半字節
順序和交錯模式
•BL即時切換
•16銀行
•平均刷新周期（Tcase為0 oC〜95 oC）
-0oC〜85 oC時為7.8 μs
-85oC〜95 oC時為3.9 μs
•JEDEC標準的78ball FBGA（x4 / x8），96ball FBGA（x16）
•MRS選擇的駕駛員力量
•支持動態管芯端接
•兩個終止狀態，例如RTT_PARK和
RTT_NOM可通過ODT引腳切換
•支持異步RESET引腳
•支持ZQ校準
•支持TDQS（終端數據選通）（僅x8）
•支持寫均衡
•8位預取
•本產品符合RoHS指令。
•提供內部Vref DQ電平生成
•所有速度等級均支持寫入CRC
•支持最大省電模式
•TCAR（溫度控制自動刷新）模式為
支持的
•支持LP ASR（低功耗自動自我刷新）模式
•支持細粒度刷新
•支持每個DRAM尋址能力
•支持減速模式（1/2速率，1/4速率）
•支持用于讀寫的可編程序言
•支持自刷新中止
•支持CA奇偶校驗（命令/地址奇偶校驗）模式
•應用了銀行分組，CAS到CAS的延遲
（tCCD_L，tCCD_S）對于相同或不同的存儲體
銀行組訪問權限可用
•支持DBI（數據總線反轉）（x8）
詳細參數：H5AN8G6NAFR-UHC
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期終止
IHS制造商SK HYNIX INC
包裝說明
達到合規性
風險等級5.79
訪問模式MULTI BANK頁面突發
其他特性自動/自刷新
JESD-30代碼R-PBGA-B96
長度13毫米
內存密度8589934592位
內存集成電路類型DDR DRAM
內存寬度16
功能數量1
運輸數量1
端子數量96
字數536870912單詞
字數代碼512000000
工作模式同步
最高工作溫度85°C
最低工作溫度
組織512MX16
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼TFBGA
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，薄型輪廓，精細間距
暫未確定初始溫度（攝氏度）
座面最大高度1.2毫米
自我刷新是
最大電源電壓（Vsup）1.26 V
最小電源電壓（Vsup）1.14 V
標稱電源電壓（Vsup）1.2 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級OTHER
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置
未指定處于初始化溫度下的最極端
寬度7.5毫米
