詳細參數：H5AN4G6NBJR-VKC
參數名稱參數值
生命周期
IHS制造商SK HYNIX INC
包裝說明
達到合規性
風險等級5.79
訪問模式MULTI BANK頁面突發
其他特性自動/自刷新
JESD-30代碼R-PBGA-B96
長度13毫米
內存密度4294967296位
內存集成電路類型DDR DRAM
內存寬度16
功能數量1
運輸數量1
端子數量96
字數268435456詞
字數代碼256000000
工作模式同步
最高工作溫度95°C
最低工作溫度
組織256MX16
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼TFBGA
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，薄型輪廓，精細間距
座面最大高度1.2毫米
自我刷新是
最大電源電壓（Vsup）1.26 V
最小電源電壓（Vsup）1.14 V
標稱電源電壓（Vsup）1.2 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級OTHER
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
寬度7.5毫米
西旗科技是一家專業集成電路混合分銷商。H5AN4G6NBJR-VKC
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