描述：NTGD4167CT1G

功率MOSFET
互補，30 V，+ 2.9 / -2.2 A，
TSOP-6 Dual

特征：NTGD4167CT1G
•互補N溝道和P溝道MOSFET
•小尺寸（3 x 3 mm）雙TSOP-6封裝
•用于低導通電阻的前沿溝槽技術
•減少柵極電荷以改善開關響應
•獨立連接的設備，提供設計靈活性
•這是一種無鉛設備

應用：NTGD4167CT1G
•DC-DC轉換電路
•帶電平轉換的負載/電源切換

制造商:NTGD4167CT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-6
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
2.6 A, 1.9 A
Rds On-漏源導通電阻:
90 mOhms, 300 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
500 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:
4.5 V, - 2.5 V
Qg-柵極電荷:
3.7 nC, 3.9 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.1 W
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.94 mm
長度:
3 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTGD4167C
晶體管類型:
1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度:
1.5 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
2.6 S, 2.6 S
下降時間:
2 ns, 8 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
4 ns, 8 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
14 ns, 22 ns
典型接通延遲時間:
7 ns, 8 ns
單位重量:
20 mg