描述：AO4404B

30V N溝道MOSFET
AO4404B使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和運行
柵極電壓低至2.5V。該設備可以
適用于筆記本CPU核心DC-DC的出色高端開關
轉換。


產品概要：AO4404B
VDS
ID（在VGS = 10V時）8.5A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<24mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<30mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V時）<48mΩ
經過100％UIS測試
100％汞
經過測試


詳細參數：AO4404B
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
零件包裝代碼
包裝說明GREEN，SOIC-8
針數8
達到合規性
ECCN代碼EAR99
風險等級8.59
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大峰值電流（ID）8.5 A
最大漏源導通電阻0.03Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
最大反饋電容（Crss）70 pF
JESD-30代碼R-PDSO-G8
元件數量1
端子數量8
工作模式
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
極性/信道類型N-CHANNEL
認證狀態不合格
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON