描述：AO4406

N通道增強模式場效應晶體管
AO4406 / L使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和
在低至2.5V的柵極電壓下工作。這個
該設備為
筆記本CPU核心DC-DC轉換。 AO4406和
AO4406L在電氣上是相同的。
-符合RoHS
-AO4406L無鹵素


特征：AO4406
VDS（V）= 30V
ID = 11.5A（VGS = 10V）
RDS（ON）<14mΩ（VGS = 10V）
RDS（ON）<16.5mΩ（VGS = 4.5V）
RDS（ON）<26mΩ（VGS = 2.5V）
UIS測試！
Rg，Ciss，Coss，Crss測試


詳細參數：AO4406
參數名稱參數值
生命周期過時的
IHS制造商阿爾法與歐米茄半導體有限公司
零件包裝代碼
包裝說明小輪廓，R-PDSO-G8
針數8
達到合規規范符合
HTS代碼8541.29.00.75
風險等級5.79
配置單頭內置二極管
最小漏源擊穿電壓30伏
最大漏源導通電阻0.014歐姆
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼R-PDSO-G8
元件數量1個
端子數量8
工作模式增強模式
封裝主體材料塑料/環氧樹脂
封裝形狀面板
封裝形式小輪廓
正極/信道類型N通道
最大脈沖脈沖電流（IDM）80安
認證狀態不合格
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置雙
晶體管應用交換
晶體管元件材料硅