描述：AON7296

100V N溝道MOSFET
AON7296使用溝槽MOSFET技術
經過獨特的優化以提供最高效的
頻率切換性能。傳導和
開關電源損耗由于
RDS（ON），Ciss和Coss的組合極低。
該器件非常適合升壓轉換器和同步
消費，電信，工業電源整流器
和LED背光。


產品概要：AON7296
VDS
ID（在VGS = 10V時）12.5A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<66mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<90mΩ
經過100％UIS測試
100％汞
經過測試


詳細參數：AON7296
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明S-PDSO-F5
達到合規性
風險等級1.76
雪崩能效等級（Eas）0.8 mJ
外殼連接排水
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓100 V
最大最大值電流（ID）12.5 A
最大漏源導通電阻0.066Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼S-PDSO-F5
元件數量1
端子數量5
工作模式
最低工作溫度-55°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀SQUARE
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型N-CHANNEL
最大脈沖交流電流（IDM）25 A
表面貼裝是
端子形式FLAT
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON