描述：PE42540F-Z
PE42540F-Z是經過HaRP™技術增強的在UltraCMOS®上開發的吸收性SP4T射頻開關
工藝技術。該開關是專門設計的
支持測試設備的要求
ATE市場。它包括四個對稱的RF端口和
具有很高的隔離度。片上CMOS解碼邏輯
簡化了兩引腳低壓CMOS控制接口
以及可選的外部VSS功能。高ESD
公差和無阻塞電容器要求
這是整合和堅固性的終極目標。
PE42540F-Z是在Peregrine的
UltraCMOS工藝是藍寶石襯底上的絕緣硅（SOI）技術的專利變體，
在經濟中提供GaAs的性能
和傳統CMOS的集成。
特征：PE42540F-Z
HaRP™技術得到增強
快速建立時間
消除門和相位滯后
插入損耗和相位均無漂移
高線性度：58 dBm IIP3
低插入損耗：3 GHz時為0.8 dB，
1.0 dB @ 6 GHz和1.2 dB @ 8 GHz
高隔離度：3 GHz時為45 dB，
6 GHz時39 dB，8 GHz時31 dB
最大功率處理：30 dBm @
8 GHz
2 kV HBM的高ESD耐受性
所有其他引腳上的RFC和1 kV HBM
制造商: pSemi
產品種類: RF 開關 IC
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: pSemi
濕度敏感性: Yes
產品類型: RF Switch ICs
工廠包裝數量: 3000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
單位重量: 308.167 mg
