描述：PE42420E-Z
PE42420E-Z是經過HaRP™技術增強的設計用于3G / 4G的吸收式SPDT RF開關
無線基礎設施和其他高性能RF
應用程序。非常適合發射路徑切換，RF和
中頻信號路由，AGC環路和濾波器組切換
應用程序。
該通用開關由兩個對稱開關組成
射頻端口，并具有出色的端口到端口隔離能力
6 GHz。集成的CMOS解碼器可簡化兩個引腳
低壓CMOS控制接口。另外，沒有
如果是0 VDC，則需要外部隔離電容器
存在于RF端口上。
PE42420E-Z在pSemi的UltraCMOS®上制造
工藝，絕緣體上硅（SOI）的專利變體
技術在藍寶石襯底上。
pSemi的HaRP技術增強功能可提供很高的
線性和出色的諧波性能。它是一個
UltraCMOS工藝的創新功能，提供
GaAs在經濟和一體化中的表現
常規CMOS。
特征：PE42420E-Z
HaRP™技術得到增強
沒有門和相位滯后
插入損耗和相位均無漂移
高線性
65 dBm的IIP3
高度隔離
69 dB @ 1 GHz
62 dB @ 3 GHz
50 GHz @ 6 GHz
支持+ 1.8V控制邏輯
+105°C的工作溫度
高ESD耐受性
RFC上的4 kV HBM
所有其他引腳上的2 kV HBM
制造商: pSemi
產品種類: RF 開關 IC
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: pSemi
濕度敏感性: Yes
產品類型: RF Switch ICs
工廠包裝數量: 3000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
單位重量: 385.062 mg
