描述：NTHD4102PT1G

功率MOSFET
−20 V，−4.1 A，雙P通道ChipFET

特征：NTHD4102PT1G
•在ChipFET封裝中提供超低RDS（ON）解決方案
•微型ChipFET封裝，尺寸比TSOP-6小40％
•外形小巧（<1.1毫米），可輕松安裝到極薄的外殼中
便攜式電子設備等環境
•由于額外的柵極升壓電路，簡化了電路設計
不需要電壓
•在標準邏輯電平門驅動器上運行，為將來提供便利
使用相同的基本拓撲遷移到較低級別
•無鉛封裝可用

應用:NTHD4102PT1G
•針對電池和負載管理應用進行了優化
便攜式設備，例如MP3播放器，手機和PDA
•電池充電器中的充電控制
•降壓和升壓轉換器

制造商:NTHD4102PT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
ChipFET-8
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
4.1 A
Rds On-漏源導通電阻:
120 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
600 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.05 mm
長度:
3.05 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTHD4102P
晶體管類型:
2 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.65 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
7 S
下降時間:
12 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
12 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
32 ns
典型接通延遲時間:
5.5 ns
單位重量:
85 mg