描述：NTS4101PT1G

功率MOSFET
−20 V，−1.37 A，單P通道，SC−70

特征：NTS4101PT1G
•領先的−20 V溝道，用于低RDS（on）
•額定電壓為-2.5 V，適用于低壓柵極驅動
•SC-70表面貼裝，占地面積小（2x2 mm）
•無鉛封裝可用

應用：NTS4101PT1G
•高端負載開關
•充電電路
•單節電池的應用，例如：手機，
數碼相機，PDA

制造商:NTS4101PT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-323-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
1.37 A
Rds On-漏源導通電阻:
160 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
450 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:
2.5 V
Qg-柵極電荷:
6.4 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
329 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.85 mm
長度:
2.1 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTS4101P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.24 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
5.2 S
下降時間:
18 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
14.9 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
26 ns
典型接通延遲時間:
6.2 ns
單位重量:
5 mg