描述：MUN2211T1G

數字晶體管（BRT）
R1 = 10 k，R2 = 10 k
具有單片偏置的NPN晶體管
電阻網絡
該系列數字晶體管旨在取代單個
器件及其外部電阻器偏置網絡。 偏置電阻
晶體管（BRT）包含具有單片偏置的單個晶體管
由兩個電阻組成的網絡； 串聯基極電阻和基極−
發射極電阻。 BRT通過以下方式消除了這些單獨的組件
將它們集成到單個設備中。 使用BRT可以減少

系統成本和電路板空間。

產品特點：MUN2211T1G
•簡化電路設計
•減少板空間
•減少組件數量
•適用于汽車和其他應用的S和NSV前綴
唯一的站點和控件更改要求； AEC-Q101
合格且具有PPAP能力
•這些設備無鉛，無鹵素/無溴化阻燃劑并且符合RoHS要求
合規

MUN2211T1G

制造商: ON Semiconductor
產品種類: 雙極晶體管 - 預偏置
RoHS: 詳細信息
配置: Single
晶體管極性: NPN
典型輸入電阻器: 10 kOhms
典型電阻器比率: 1
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-59-3
直流集電極/Base Gain hfe Min: 35, 60
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 50 V
集電極連續電流: 0.1 A
峰值直流集電極電流: 100 mA
Pd-功率耗散: 230 mW
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MUN2211
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
直流電流增益 hFE 最大值: 35
高度: 1.09 mm
長度: 2.9 mm
寬度: 1.5 mm
商標: ON Semiconductor
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
單位重量: 8 mg