電阻晶體管
R1 = 47千，R2 = 47千
NPN和PNP單片晶體管
偏置電阻網絡
該系列數字晶體管旨在取代單個
器件及其外部電阻器偏置網絡。 偏置電阻
晶體管（BRT）包含具有單片偏置的單個晶體管
由兩個電阻組成的網絡； 一個串聯的基極電阻和一個
基極-發射極電阻。 BRT消除了這些個體
組件集成到單個設備中。 BRT的使用
可以減少系統成本和電路板空間。
•簡化電路設計
•減少板空間
•減少組件數量
•用于汽車和其他應用的S和NSV前綴
要求唯一的站點和控件更改要求；
符合AEC-Q101和PPAP標準*
•這些設備無鉛，無鹵素/無溴化阻燃劑并且符合RoHS要求
合規
制造商: ON Semiconductor
產品種類: 雙極晶體管 - 預偏置
RoHS: 詳細信息
配置: Dual
晶體管極性: NPN
典型輸入電阻器: 47 kOhms
典型電阻器比率: 1
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363(PB-Free)-6
直流集電極/Base Gain hfe Min: 80
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 50 V
集電極連續電流: 100 mA
峰值直流集電極電流: 100 mA
Pd-功率耗散: 256 mW
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MUN5313DW1
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
直流電流增益 hFE 最大值: 80
高度: 0.9 mm
長度: 2 mm
寬度: 1.25 mm
商標: ON Semiconductor
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
單位重量: 28 mg
