采用SOT-223封裝的55V單N溝道HEXFET功率MOSFET
優點：IRLL024NTRPBF
•針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
•符合JEDEC標準的產品認證
•邏輯電平：針對10 V柵極驅動電壓進行了優化，能夠提供4.5 V柵極驅動電壓
•行業標準的表面貼裝電源套件
•能夠波峰焊
制造商:IRLL024NTRPBF
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-223-4
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
55 V
Id-連續漏極電流:
4.4 A
Rds On-漏源導通電阻:
100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
16 V
Qg-柵極電荷:
10.4 nC
Pd-功率耗散:
2.1 W
配置:
Single
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.6 mm
長度:
6.5 mm
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
3.5 mm
商標:
Infineon / IR
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
零件號別名:
SP001568956
單位重量:
112 mg
