硅功率晶體管
MJL21195和MJL21196G利用穿孔的發射極
技術，專為高功率音頻輸出而設計，
磁盤磁頭定位器和線性應用。
•表征總諧波失真
•高直流電流增益
•出色的增益線性度
•高SOA
•環氧樹脂符合UL 94，V-0 @ 0.125 in
•這些設備無鉛且符合RoHS *
制造商: ON Semiconductor
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 250 V
集電極—基極電壓 VCBO: 400 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—射極飽和電壓: 1.4 V
最大直流電集電極電流: 16 A
Pd-功率耗散: 200 W
增益帶寬產品fT: 4 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MJL21196
封裝: Tube
高度: 26.4 mm
長度: 20.3 mm
技術: Si
寬度: 5.3 mm
商標: ON Semiconductor
集電極連續電流: 16 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 25
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 25
子類別: Transistors
單位重量: 13.608 g
