描述：MJL21193G
硅功率晶體管
MJL21193G和MJL21194利用穿孔發射器
技術，專為高功率音頻輸出而設計，

磁盤磁頭定位器和線性應用。

產品特點：MJL21193G
•表征總諧波失真
•高直流電流增益
•出色的增益線性度
•高SOA
•這些設備無鉛且符合RoHS *

MJL21193G
制造商：ON Semiconductor
產品種類：雙極晶體管-雙極結型晶體管（BJT）
RoHS：詳細信息
安裝風格：通孔
封裝/箱體：TO-264-3
晶體管極性：PNP
配置：單身
集電極—發射極最大電壓VCEO：250 V
集電極—基極電壓VCBO：400 V
發射極-基極電壓VEBO：5 V
集電極—射極飽和電壓：1.4 V
最大直流電集電極電流：16 A
Pd-功率耗散：200 W
增益帶寬產品fT：4 MHz
最小工作溫度：-65 C
最大工作溫度：+ 150 C
系列：MJL21193
封裝：Tube
高度：26.4毫米
長度：20.3毫米
技術：Si
寬度：5.3毫米
商標：ON Semiconductor
集電極連續電流：16 A
直流集電極/基本增益hfe最小值：25
產品類型：BJT-雙極晶體管
工廠包裝數量：25
子類別：晶體管
單位重量：10克