M28W160CB70N6E是一種16 Mbit（1 Mbit x 16）非易失性閃存，可以通過電擦除
在塊級別并在系統上編程逐字基礎。這些操作可以是
使用單個低壓（2.7至3.6V）進行
供應。 VDDQ允許將I / O引腳驅動至
1.65V。提供可選的12V VPP電源，以加速客戶編程。
該器件具有非對稱的阻塞架構。 M28W160CB70N6E具有39個陣列
塊：8個參數塊，分別為4 KWord和31
32 KWord的主要塊。 M28W160CT具有
M28W160CB70N6E在內存地址空間的頂部放置參數塊
參數塊從底部開始。的
存儲器映射如圖5的塊地址所示。
M28W160C具有即時，獨立的功能
塊鎖定方案，允許任何塊
無延遲地鎖定或解鎖，從而實現即時代碼和數據保護。所有塊都有
三級保護。他們可以被鎖定和
分別鎖定以防止意外編程或擦除。還有一個額外的
防止編程和擦除的硬件保護。
當VPP≤VPPLK時，所有塊均受到保護
編程或擦除。上電時所有塊均被鎖定。
每個塊可以單獨擦除。可以擦
被暫停以便執行讀取或
在任何其他程序段中編程，然后繼續。
程序可以暫停以讀取任何形式的數據
其他塊，然后繼續。每個塊可以是
已編程并擦除了100,000個周期以上。
該器件包括一個128位保護寄存器
和一個安全塊，以增強對
系統設計。保護寄存器分為兩個64位段，第一個包含
Numonyx編寫的唯一設備號，
而第二個是一次性編程的
由用戶。用戶可編程段可以
受到永久保護。可以通過以下方式對安全塊（參數塊0）進行永久保護：
用戶。圖6顯示了安全模塊和
保護寄存器存儲器映射。
將Program和Erase命令寫入到
存儲器的命令接口。片上
編程/擦除控制器負責編程和擦除操作所需的時序。
編程或擦除操作的結束可以是
檢測到并確定任何錯誤情況。的
控制內存所需的命令集是
符合JEDEC標準。
存儲器以TSOP48（10 X 20mm）提供
和TFBGA46（6.39 x 6.37mm，0.75mm間距）
封裝，并且所有位均已擦除
（設置為“ 1”）。
為了滿足環境要求，恒憶提供了ECOPACK®的M28W160C
包。
ECOPACK封裝是無鉛的。類別
第二級互連的數量標記在
包裝和內盒標簽上的符合規定
符合JEDEC標準JESD97。與焊接條件有關的最大額定值也是
在內盒標簽上標記。
功能概要：M28W160CB70N6E
■電源電壓
– VDD = 2.7V至3.6V內核電源
–輸入/輸出的VDDQ = 1.65V至3.6V
– VPP = 12V，用于快速編程（可選）
■訪問時間：70、85、90,100ns
■編程時間：
–典型值為10μs
–雙字編程選項
■常見的閃存接口
– 64位安全代碼
■內存塊
–參數塊（頂部或底部位置）
–主要積木
■塊鎖定
–上電時所有塊均被鎖定
–可以鎖定任何組合的塊
– WP用于塊鎖定
■安全性
– 64位用戶可編程OTP單元
– 64位唯一設備標識符
–一個參數塊永久可鎖定
■自動待機模式
■程序和擦除暫停
■每個100,000個程序/擦除周期
塊
■提供ECOPACK®包裝
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-48
系列: M28W
存儲容量: 16 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 20 mA
接口類型: Parallel
組織: 1 M x 16
數據總線寬度: 16 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
存儲類型: NOR
速度: 70 ns
類型: Boot Block
商標: Micron
電源電流—最大值: 20 mA
產品類型: NOR Flash
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 576
子類別: Memory & Data Storage
